UGE8JT-E3/45 Цены (доллары США) [3186шт сток]
- 4,000 pcs$0.14936
- номер части:
- UGE8JT-E3/45
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGE8JT-E3/45 electronic components. UGE8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGE8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGE8JT-E3/45 Атрибуты продукта
номер части :
UGE8JT-E3/45
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Серии :
-
Состояние детали :
Obsolete
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.75V @ 8A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
25ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
30µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
TO-220AC
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Горячие части
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54