Vishay Siliconix - 2N6661JTXP02

KEY Part #: K6412506

[13421шт сток]


    номер части:
    2N6661JTXP02
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix 2N6661JTXP02 electronic components. 2N6661JTXP02 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N6661JTXP02, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N6661JTXP02 Атрибуты продукта

    номер части : 2N6661JTXP02
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 90V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 860mA (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 50pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-39
    Пакет / Дело : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR4104TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR7746PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

    • IRFR120ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

    • FDD16AN08A0-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.