Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3C M6G

KEY Part #: K6458059

ESH3C M6G Цены (доллары США) [838004шт сток]

  • 1 pcs$0.04414

номер части:
ESH3C M6G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C M6G electronic components. ESH3C M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3C M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3C M6G Атрибуты продукта

номер части : ESH3C M6G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 900mV @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM