NSVR05F40NXT5G Цены (доллары США) [831079шт сток]
- 1 pcs$0.04697
- 5,000 pcs$0.04673
- номер части:
- NSVR05F40NXT5G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN. Schottky Diodes & Rectifiers 0402 FC SCHOTTKY DIODES
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor NSVR05F40NXT5G electronic components. NSVR05F40NXT5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVR05F40NXT5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVR05F40NXT5G Атрибуты продукта
номер части :
NSVR05F40NXT5G
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
40V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
500mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
460mV @ 500mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
75µA @ 40V
Емкость @ Vr, F :
35pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
2-XDFN
Комплект поставки устройства :
2-DSN (1x.60)
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18