Infineon Technologies - IPP80N06S208AKSA2

KEY Part #: K6418591

IPP80N06S208AKSA2 Цены (доллары США) [69342шт сток]

  • 1 pcs$0.56387
  • 500 pcs$0.53699

номер части:
IPP80N06S208AKSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP80N06S208AKSA2 electronic components. IPP80N06S208AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N06S208AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S208AKSA2 Атрибуты продукта

номер части : IPP80N06S208AKSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2860pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 215W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3-1
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.