Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10J-E3/53

KEY Part #: K6457893

RGP10J-E3/53 Цены (доллары США) [735693шт сток]

  • 1 pcs$0.05116
  • 12,000 pcs$0.05090

номер части:
RGP10J-E3/53
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 600 Volt 250ns Trim Leads
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10J-E3/53 electronic components. RGP10J-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10J-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10J-E3/53 Атрибуты продукта

номер части : RGP10J-E3/53
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Серии : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • EGL34F-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • BYM07-200-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns