PMEG2010AET,215 Цены (доллары США) [781298шт сток]
- 1 pcs$0.04734
- 3,000 pcs$0.04317
- 6,000 pcs$0.04055
- 15,000 pcs$0.03794
- 30,000 pcs$0.03488
- номер части:
- PMEG2010AET,215
- производитель:
- Nexperia USA Inc.
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHTTKY TAPE-7
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010AET,215 electronic components. PMEG2010AET,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010AET,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG2010AET,215 Атрибуты продукта
номер части :
PMEG2010AET,215
производитель :
Nexperia USA Inc.
Описание :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
20V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
430mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
200µA @ 20V
Емкость @ Vr, F :
70pF @ 5V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
TO-236AB
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Горячие части
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR