Infineon Technologies - IRFR120ZTR

KEY Part #: K6413843

[12960шт сток]


    номер части:
    IRFR120ZTR
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR120ZTR electronic components. IRFR120ZTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120ZTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR120ZTR Атрибуты продукта

    номер части : IRFR120ZTR
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.7A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 310pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 35W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D-Pak
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.