Vishay Semiconductor Diodes Division - UF8DT-E3/4W

KEY Part #: K6445618

UF8DT-E3/4W Цены (доллары США) [2046шт сток]

  • 2,000 pcs$0.17075

номер части:
UF8DT-E3/4W
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UF8DT-E3/4W electronic components. UF8DT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF8DT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF8DT-E3/4W Атрибуты продукта

номер части : UF8DT-E3/4W
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.02V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Комплект поставки устройства : ITO-220AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • VS-80EPS12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.