ON Semiconductor - FQPF11P06

KEY Part #: K6392715

FQPF11P06 Цены (доллары США) [62346шт сток]

  • 1 pcs$0.53517
  • 10 pcs$0.47329
  • 100 pcs$0.37420
  • 500 pcs$0.27451
  • 1,000 pcs$0.21672

номер части:
FQPF11P06
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQPF11P06 electronic components. FQPF11P06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF11P06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF11P06 Атрибуты продукта

номер части : FQPF11P06
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 550pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в