Infineon Technologies - IRLR014NPBF

KEY Part #: K6411952

[8460шт сток]


    номер части:
    IRLR014NPBF
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR014NPBF electronic components. IRLR014NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR014NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR014NPBF Атрибуты продукта

    номер части : IRLR014NPBF
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.9nC @ 5V
    Vgs (Макс) : ±16V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 265pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 28W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D-Pak
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.