Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-100-E3/97

KEY Part #: K6455554

BYM10-100-E3/97 Цены (доллары США) [959192шт сток]

  • 1 pcs$0.04069
  • 5,000 pcs$0.04049
  • 10,000 pcs$0.03788
  • 25,000 pcs$0.03483

номер части:
BYM10-100-E3/97
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-100-E3/97 electronic components. BYM10-100-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-100-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-100-E3/97 Атрибуты продукта

номер части : BYM10-100-E3/97
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast