Toshiba Semiconductor and Storage - TPCA8065-H,LQ(S

KEY Part #: K6419491

TPCA8065-H,LQ(S Цены (доллары США) [114581шт сток]

  • 1 pcs$0.34412
  • 3,000 pcs$0.34241

номер части:
TPCA8065-H,LQ(S
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H,LQ(S electronic components. TPCA8065-H,LQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCA8065-H,LQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCA8065-H,LQ(S Атрибуты продукта

номер части : TPCA8065-H,LQ(S
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV
Серии : U-MOSVII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1600pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP Advance (5x5)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в