Toshiba Semiconductor and Storage - RN2313(TE85L,F)

KEY Part #: K6527866

RN2313(TE85L,F) Цены (доллары США) [7551шт сток]

  • 3,000 pcs$0.01910
  • 6,000 pcs$0.01661
  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

номер части:
RN2313(TE85L,F)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2313(TE85L,F) electronic components. RN2313(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2313(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2313(TE85L,F) Атрибуты продукта

номер части : RN2313(TE85L,F)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : PNP - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 47 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : -
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
Частота - Переход : 200MHz
Мощность - Макс : 100mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323
Комплект поставки устройства : USM

Вы также можете быть заинтересованы в