Vishay Siliconix - IRFBF30

KEY Part #: K6392807

IRFBF30 Цены (доллары США) [19083шт сток]

  • 1 pcs$2.17045
  • 1,000 pcs$2.15965

номер части:
IRFBF30
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBF30 electronic components. IRFBF30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBF30 Атрибуты продукта

номер части : IRFBF30
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в