Infineon Technologies - IRFP90N20DPBF

KEY Part #: K6400941

IRFP90N20DPBF Цены (доллары США) [13227шт сток]

  • 1 pcs$2.56487
  • 10 pcs$2.28988
  • 100 pcs$1.87756
  • 500 pcs$1.52035
  • 1,000 pcs$1.28223

номер части:
IRFP90N20DPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFP90N20DPBF electronic components. IRFP90N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP90N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP90N20DPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFP90N20DPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 94A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 270nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6040pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 580W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в