IXYS - IXTP1R6N50D2

KEY Part #: K6398082

IXTP1R6N50D2 Цены (доллары США) [40837шт сток]

  • 1 pcs$1.05361
  • 10 pcs$0.95285
  • 100 pcs$0.76575
  • 500 pcs$0.59558
  • 1,000 pcs$0.49348

номер части:
IXTP1R6N50D2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP1R6N50D2 electronic components. IXTP1R6N50D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R6N50D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R6N50D2 Атрибуты продукта

номер части : IXTP1R6N50D2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23.7nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 645pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.