Vishay Siliconix - SIS427EDN-T1-GE3

KEY Part #: K6416238

SIS427EDN-T1-GE3 Цены (доллары США) [306526шт сток]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

номер части:
SIS427EDN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3 electronic components. SIS427EDN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS427EDN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS427EDN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIS427EDN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1930pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.