Keystone Electronics - 3390

KEY Part #: K7359574

3390 Цены (доллары США) [623475шт сток]

  • 1 pcs$0.05537
  • 10 pcs$0.05300
  • 50 pcs$0.03385
  • 100 pcs$0.03271
  • 250 pcs$0.02818
  • 1,000 pcs$0.02367
  • 2,500 pcs$0.02142
  • 5,000 pcs$0.02029

номер части:
3390
производитель:
Keystone Electronics
Подробное описание:
RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS. Screws & Fasteners RIVET
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: заклепки, Заглушки, пена, Винты, Болты, Компоненты Изоляторы, крепления, проставки, Канал DIN-рейки, Подшипники and Винтовые втулки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Keystone Electronics 3390 electronic components. 3390 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3390, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

3390 Атрибуты продукта

номер части : 3390
производитель : Keystone Electronics
Описание : RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Semi-Tubular Rivet
Диаметр заклепки : 0.120" (3.05mm)
Длина заклепки : 0.218" (5.54mm)
Диаметр головы : 0.218" (5.54mm)
Высота головы : -
Диаметр отверстия : 0.128" (3.25mm)
Диапазон сцепления : -
Характеристики : -
цвет : -
материал : Brass

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.