Infineon Technologies - BSC160N10NS3GATMA1

KEY Part #: K6418263

BSC160N10NS3GATMA1 Цены (доллары США) [178871шт сток]

  • 1 pcs$0.20678
  • 5,000 pcs$0.17567

номер части:
BSC160N10NS3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC160N10NS3GATMA1 electronic components. BSC160N10NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC160N10NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC160N10NS3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC160N10NS3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1700pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.