номер части :
IPI80P04P4L06AKSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOSFET P-CH TO262-3
Серии :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали :
Obsolete
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
104nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
6580pF @ 25V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
88W (Tc)
Рабочая Температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Through Hole
Комплект поставки устройства :
PG-TO262-3-1
Пакет / Дело :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA