Infineon Technologies - IPI80P04P4L06AKSA1

KEY Part #: K6401849

IPI80P04P4L06AKSA1 Цены (доллары США) [2908шт сток]

  • 500 pcs$0.41017

номер части:
IPI80P04P4L06AKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH TO262-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPI80P04P4L06AKSA1 electronic components. IPI80P04P4L06AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80P04P4L06AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80P04P4L06AKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPI80P04P4L06AKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH TO262-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Макс) : +5V, -16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6580pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 88W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO262-3-1
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.