Microsemi Corporation - JANTXV1N6642U

KEY Part #: K6430709

JANTXV1N6642U Цены (доллары США) [5618шт сток]

  • 1 pcs$7.37125
  • 113 pcs$7.33457

номер части:
JANTXV1N6642U
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 300MA D5D. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6642U electronic components. JANTXV1N6642U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6642U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6642U Атрибуты продукта

номер части : JANTXV1N6642U
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 100V 300MA D5D
Серии : Military, MIL-PRF-19500/578
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 300mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 100mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 100V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, D
Комплект поставки устройства : D-5D
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SR10200-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A

  • V10PM12HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.

  • AR4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche

  • VS-4ESH02-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V

  • V10P45HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS TO-277A 10A AEC-Q101 Qualified

  • AS4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,STD, Avalanche SM