EPC - EPC2010C

KEY Part #: K6416785

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in EPC EPC2010C electronic components. EPC2010C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2010C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : EPC2010C

производитель : EPC

Описание : GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

Серии : eGaN®

Состояние детали : Active

Тип FET : N-Channel

Технология : GaNFET (Gallium Nitride)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 12A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5.3nC @ 5V

Vgs (Макс) : +6V, -4V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 540pF @ 100V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : -

Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : Die Outline (7-Solder Bar)

Пакет / Дело : Die

Вы также можете быть заинтересованы в