Infineon Technologies - F1225R12KT4GBOSA1

KEY Part #: K6534523

F1225R12KT4GBOSA1 Цены (доллары США) [1023шт сток]

  • 1 pcs$45.38292

номер части:
F1225R12KT4GBOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 1200V 25A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies F1225R12KT4GBOSA1 electronic components. F1225R12KT4GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F1225R12KT4GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F1225R12KT4GBOSA1 Атрибуты продукта

номер части : F1225R12KT4GBOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 1200V 25A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 25A
Мощность - Макс : 160W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module