IXYS - IXTP1N80

KEY Part #: K6417650

IXTP1N80 Цены (доллары США) [37709шт сток]

  • 1 pcs$1.20311

номер части:
IXTP1N80
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP1N80 electronic components. IXTP1N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1N80 Атрибуты продукта

номер части : IXTP1N80
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 750mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 220pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в