Vishay Siliconix - SI4490DY-T1-E3

KEY Part #: K6403317

SI4490DY-T1-E3 Цены (доллары США) [100757шт сток]

  • 1 pcs$0.38807
  • 2,500 pcs$0.30952

номер части:
SI4490DY-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4490DY-T1-E3 electronic components. SI4490DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4490DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4490DY-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI4490DY-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.85A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.56W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RFD12N06RLESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.

  • FQD12N20LTM-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 200V 280 MOHM.

  • FDD3706

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK.

  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.