NSB8JT-E3/81 Цены (доллары США) [143207шт сток]
- 1 pcs$0.25828
- 800 pcs$0.24191
- 1,600 pcs$0.19098
- 2,400 pcs$0.17825
- 5,600 pcs$0.16976
- номер части:
- NSB8JT-E3/81
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8JT-E3/81 electronic components. NSB8JT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8JT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8JT-E3/81 Атрибуты продукта
номер части :
NSB8JT-E3/81
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 8A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
TO-263AB
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
-
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
MBRB1635-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 35 Volt 16A Single 150 Amp IFSM
Горячие части
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR