Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8AT-E3/81

KEY Part #: K6437555

NSB8AT-E3/81 Цены (доллары США) [143207шт сток]

  • 1 pcs$0.25828
  • 800 pcs$0.24191

номер части:
NSB8AT-E3/81
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8AT-E3/81 electronic components. NSB8AT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8AT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8AT-E3/81 Атрибуты продукта

номер части : NSB8AT-E3/81
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 8A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM