Infineon Technologies - FS450R12KE4BOSA1

KEY Part #: K6533642

FS450R12KE4BOSA1 Цены (доллары США) [161шт сток]

  • 1 pcs$286.33997

номер части:
FS450R12KE4BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS450R12KE4BOSA1 electronic components. FS450R12KE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS450R12KE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS450R12KE4BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS450R12KE4BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1
Серии : EconoPACK™+
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 675A
Мощность - Макс : 2250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 450A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 28nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.