Renesas Electronics America - RJK6002DPH-E0#T2

KEY Part #: K6420324

RJK6002DPH-E0#T2 Цены (доллары США) [182616шт сток]

  • 1 pcs$0.22391
  • 3,000 pcs$0.22280

номер части:
RJK6002DPH-E0#T2
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK6002DPH-E0#T2 electronic components. RJK6002DPH-E0#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK6002DPH-E0#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK6002DPH-E0#T2 Атрибуты продукта

номер части : RJK6002DPH-E0#T2
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.2nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 165pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в