Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF1007G C0G

KEY Part #: K6428622

HERAF1007G C0G Цены (доллары США) [280423шт сток]

  • 1 pcs$0.13190

номер части:
HERAF1007G C0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC. Rectifiers 80ns 10A 800V HiEff Recov Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1007G C0G electronic components. HERAF1007G C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HERAF1007G C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HERAF1007G C0G Атрибуты продукта

номер части : HERAF1007G C0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 10A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 80ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack
Комплект поставки устройства : ITO-220AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • VS-2EJH01-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

  • VS-3EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-2EJH01HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH02-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr