IXYS - IXFA270N06T3

KEY Part #: K6398084

IXFA270N06T3 Цены (доллары США) [21399шт сток]

  • 1 pcs$2.10214
  • 10 pcs$1.87870
  • 100 pcs$1.54038
  • 500 pcs$1.24731
  • 1,000 pcs$0.99800

номер части:
IXFA270N06T3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFA270N06T3 electronic components. IXFA270N06T3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA270N06T3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA270N06T3 Атрибуты продукта

номер части : IXFA270N06T3
производитель : IXYS
Описание : 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
Серии : HiperFET™, TrenchT3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 270A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 12600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 480W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263AA
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.