Harwin Inc. - S1721-46R

KEY Part #: K7359538

S1721-46R Цены (доллары США) [685639шт сток]

  • 1 pcs$0.05395
  • 5,000 pcs$0.05348
  • 10,000 pcs$0.04979
  • 25,000 pcs$0.04721
  • 50,000 pcs$0.04611

номер части:
S1721-46R
производитель:
Harwin Inc.
Подробное описание:
RFI SHIELD CLIP MINI TIN SMD. Specialized Cables SMT RFI CLIP MINI TIN
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: РЧ диплексеры, Радиопередатчики, RFI и EMI - экранирующие и поглощающие материалы, РЧ делители / сплиттеры, ИС контроллера РЧ-мощности, RFID антенны, РФ антенны and RFID-считыватели ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Harwin Inc. S1721-46R electronic components. S1721-46R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1721-46R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1721-46R Атрибуты продукта

номер части : S1721-46R
производитель : Harwin Inc.
Описание : RFI SHIELD CLIP MINI TIN SMD
Серии : EZ BoardWare
Состояние детали : Active
Тип : Shield Clip
форма : -
ширина : 0.042" (1.07mm)
длина : 0.207" (5.25mm)
Рост : 0.088" (2.23mm)
материал : Stainless Steel
золочение : Tin
Покрытие - толщина : 118.11µin (3.00µm)
Метод крепления : Solder
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.