ON Semiconductor - FQP27P06

KEY Part #: K6417055

FQP27P06 Цены (доллары США) [48456шт сток]

  • 1 pcs$0.58952
  • 10 pcs$0.52179
  • 100 pcs$0.41229
  • 500 pcs$0.30245
  • 1,000 pcs$0.23878

номер части:
FQP27P06
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQP27P06 electronic components. FQP27P06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP27P06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP27P06 Атрибуты продукта

номер части : FQP27P06
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 27A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 120W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.