NS8KTHE3_A/P Цены (доллары США) [3177шт сток]
- 1,000 pcs$0.26162
- номер части:
- NS8KTHE3_A/P
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NS8KTHE3_A/P electronic components. NS8KTHE3_A/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NS8KTHE3_A/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NS8KTHE3_A/P Атрибуты продукта
номер части :
NS8KTHE3_A/P
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Obsolete
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 8A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
TO-220AC
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A