Infineon Technologies - IRFB42N20DPBF

KEY Part #: K6401601

IRFB42N20DPBF Цены (доллары США) [29687шт сток]

  • 1 pcs$1.47634
  • 10 pcs$1.33400
  • 100 pcs$1.01699
  • 500 pcs$0.79100
  • 1,000 pcs$0.65540

номер части:
IRFB42N20DPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFB42N20DPBF electronic components. IRFB42N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB42N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB42N20DPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFB42N20DPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 44A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3430pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в