IXYS - IXTT75N10

KEY Part #: K6394063

IXTT75N10 Цены (доллары США) [3772шт сток]

  • 1 pcs$13.27193
  • 30 pcs$13.20590

номер части:
IXTT75N10
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTT75N10 electronic components. IXTT75N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT75N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT75N10 Атрибуты продукта

номер части : IXTT75N10
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
Серии : MegaMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 75A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы также можете быть заинтересованы в