Diodes Incorporated - DMP2035UVTQ-13

KEY Part #: K6396378

DMP2035UVTQ-13 Цены (доллары США) [640864шт сток]

  • 1 pcs$0.05772
  • 10,000 pcs$0.05128

номер части:
DMP2035UVTQ-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 8V 24V TSOT26.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP2035UVTQ-13 electronic components. DMP2035UVTQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP2035UVTQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2035UVTQ-13 Атрибуты продукта

номер части : DMP2035UVTQ-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 8V 24V TSOT26
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2400pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TSOT-26
Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы также можете быть заинтересованы в