GeneSiC Semiconductor - 1N3881

KEY Part #: K6442940

1N3881 Цены (доллары США) [12354шт сток]

  • 1 pcs$2.64420
  • 10 pcs$2.36039
  • 25 pcs$2.12417
  • 100 pcs$1.93533
  • 250 pcs$1.74653
  • 500 pcs$1.56716
  • 1,000 pcs$1.32170

номер части:
1N3881
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4. Rectifiers 200V 6A Fast Recovery
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3881 electronic components. 1N3881 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3881, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3881 Атрибуты продукта

номер части : 1N3881
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 6A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.4V @ 6A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 200ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 15µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Chassis, Stud Mount
Пакет / Дело : DO-203AA, DO-4, Stud
Комплект поставки устройства : DO-4
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.