Infineon Technologies - FF150R12ME3GBOSA1

KEY Part #: K6534509

FF150R12ME3GBOSA1 Цены (доллары США) [962шт сток]

  • 1 pcs$48.23735

номер части:
FF150R12ME3GBOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1 electronic components. FF150R12ME3GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF150R12ME3GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF150R12ME3GBOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF150R12ME3GBOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 200A
Мощность - Макс : 695W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 10.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module