Vishay Siliconix - SIRA28BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6397491

SIRA28BDP-T1-GE3 Цены (доллары США) [440577шт сток]

  • 1 pcs$0.08395

номер части:
SIRA28BDP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA28BDP-T1-GE3 electronic components. SIRA28BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA28BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA28BDP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIRA28BDP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Ta), 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Макс) : +20V, -16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 582pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.