IXYS - IXTA18P10T

KEY Part #: K6394584

IXTA18P10T Цены (доллары США) [55012шт сток]

  • 1 pcs$0.82147
  • 50 pcs$0.81739

номер части:
IXTA18P10T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTA18P10T electronic components. IXTA18P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA18P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA18P10T Атрибуты продукта

номер части : IXTA18P10T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Серии : TrenchP™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±15V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (IXTA)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB