IXYS - IXTY08N50D2

KEY Part #: K6394580

IXTY08N50D2 Цены (доллары США) [56000шт сток]

  • 1 pcs$0.76930
  • 10 pcs$0.69530
  • 100 pcs$0.55879
  • 500 pcs$0.43461
  • 1,000 pcs$0.34064

номер части:
IXTY08N50D2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTY08N50D2 electronic components. IXTY08N50D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY08N50D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY08N50D2 Атрибуты продукта

номер части : IXTY08N50D2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 800mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12.7nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 312pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63