Diodes Incorporated - DMN90H8D5HCT

KEY Part #: K6397850

DMN90H8D5HCT Цены (доллары США) [67768шт сток]

  • 1 pcs$0.54771
  • 50 pcs$0.43783
  • 100 pcs$0.38311
  • 500 pcs$0.28104
  • 1,000 pcs$0.22188

номер части:
DMN90H8D5HCT
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT electronic components. DMN90H8D5HCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN90H8D5HCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN90H8D5HCT Атрибуты продукта

номер части : DMN90H8D5HCT
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 470pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.