IXYS - IXTV102N20T

KEY Part #: K6407735

[870шт сток]


    номер части:
    IXTV102N20T
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS IXTV102N20T electronic components. IXTV102N20T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTV102N20T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTV102N20T Атрибуты продукта

    номер части : IXTV102N20T
    производитель : IXYS
    Описание : MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
    Серии : TrenchHV™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 102A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 114nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6800pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 750W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : PLUS220
    Пакет / Дело : TO-220-3, Short Tab

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

    • FDD6796A

      ON Semiconductor

      MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

    • FDD6778A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.