Infineon Technologies - IRFL4105TRPBF

KEY Part #: K6420646

IRFL4105TRPBF Цены (доллары США) [224088шт сток]

  • 1 pcs$0.16506
  • 2,500 pcs$0.14156

номер части:
IRFL4105TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFL4105TRPBF electronic components. IRFL4105TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4105TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL4105TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFL4105TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 660pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в