Infineon Technologies - IRFR812TRPBF

KEY Part #: K6420594

IRFR812TRPBF Цены (доллары США) [216233шт сток]

  • 1 pcs$0.17105
  • 2,000 pcs$0.15140

номер части:
IRFR812TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR812TRPBF electronic components. IRFR812TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR812TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR812TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR812TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 810pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 78W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в