IXYS - MWI50-12E7

KEY Part #: K6534281

[553шт сток]


    номер части:
    MWI50-12E7
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS MWI50-12E7 electronic components. MWI50-12E7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MWI50-12E7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MWI50-12E7 Атрибуты продукта

    номер части : MWI50-12E7
    производитель : IXYS
    Описание : MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : NPT
    конфигурация : Three Phase Inverter
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 90A
    Мощность - Макс : 350W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 50A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 800µA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.8nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : E2
    Комплект поставки устройства : E2

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • STGE50NB60HD

      STMicroelectronics

      IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

    • APT30GF60JU3

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 58A 192W SOT227.

    • APT50GP60J

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 100A 329W SOT227.

    • APT40GP60JDQ2

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 86A 284W SOT227.

    • APTGF25H120T1G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1.

    • APTGF180H60G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6.