номер части :
GC08MPS12-252
производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
40A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.8V @ 8A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
7µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
545pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства :
TO-252-2
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C