Microsemi Corporation - JAN1N5420

KEY Part #: K6441257

JAN1N5420 Цены (доллары США) [6604шт сток]

  • 1 pcs$5.94064
  • 10 pcs$5.34481
  • 25 pcs$4.86956
  • 100 pcs$4.39444
  • 250 pcs$4.03813
  • 500 pcs$3.68183

номер части:
JAN1N5420
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 600V HR
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5420 electronic components. JAN1N5420 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5420, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5420 Атрибуты продукта

номер части : JAN1N5420
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Серии : Military, MIL-PRF-19500/411
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.5V @ 9A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 400ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : B, Axial
Комплект поставки устройства : B, Axial
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.